iPhone 16 或將改用密度更高、速度更慢的QLC快閃記憶體
蘋果和其他智慧型手機生產商已經逐步增加了產品的儲存容量,但這樣做會增加硬體成本。現在,蘋果似乎正在考慮使用更便宜的記憶體。據報道,蘋果可能會改變其高容量iPhone 16 機型所使用的快閃記憶體類型,考慮使用密度更高、但速度可能更慢的四層單元NAND。
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根據DigiTimes 的業內人士透露,蘋果可能會改變儲存容量,不再使用三層單元(TLC)NAND 快閃記憶體,而是在儲存容量達到或超過1TB 的機型上使用四層單元(QLC)NAND 快閃記憶體。
與TLC 相比,QLC 的優勢在於每個儲存單元可以儲存四位數據,而不是三位。這使得QLC NAND 閃存在使用相同數量的單元時比TLC 儲存更多的數據,或使用更少的單元儲存更多的數據。理論上,這可以降低生產成本。
然而,QLC 在做到這一點的同時也做出了一些犧牲。QLC NAND 快閃記憶體被認為不如TLC 快閃記憶體可靠,寫入資料的耐久性會降低,因為每個單元寫入的次數更多,因為每個單元多包含一個位元。
QLC NAND 快閃記憶體可以儲存16 種不同的電荷電平,而TLC 僅能儲存8 種電荷電平。讀取資料時,由於電荷量增加,裕量減少,這就有可能因雜訊增加而導致位元錯誤增加。
如果蘋果繼續執行這項計劃,最終將意味著擁有1TB 儲存容量的iPhone 16 用戶可能會遇到資料寫入速度低於低容量用戶的情況。這反過來又會降低對效能有較高要求的使用者的某些效能。
性能上的差異可能還不足以成為問題。例如,市售的固態硬碟在快取已滿的情況下,TLC 快閃記憶體的寫入速度可達550MB/s,而同類TLC 版本的寫入速度可能只有450MB/s 或500MB/s。
這對於工作站電腦而非行動裝置來說更為重要。行動裝置的快閃記憶體寫入往往是突發的,而不是像工作站那樣是持續的。