SK hynix 宣布開發出目前性能最好的HBM3E內存
SK hynix公司宣布成功開發出目前最高規格的下一代人工智能應用DRAM–HBM3E,並表示客戶正在對樣品進行評估。該公司表示,HBM3E 是HBM3 的擴展版本,它的成功開發得益於該公司作為業界唯一的HBM3 大規模供應商所積累的經驗。
SK hynix計劃從明年上半年開始量產HBM3E。據該公司稱,最新產品不僅在人工智能內存產品的關鍵規格–速度方面達到了業界最高標準,而且在容量、散熱和用戶友好性等所有方面都達到了業界最高標準。在速度方面,HBM3E 每秒可處理高達1.15 TB 的數據,相當於在一秒鐘內處理230 多部每部5 GB 大小的全高清電影。
此外,通過在最新產品中採用先進的大規模回流模塑底部填充(MR-MUF)尖端技術,該產品的散熱性能提高了10%。它還具有向後兼容性,即使是為HBM3 準備的系統也可以採用最新產品,而無需修改設計或結構。
SK hynix DRAM產品規劃主管Sungsoo Ryu表示,該公司通過開發HBM3E,進一步增強了HBM產品陣容的完整性,從而鞏固了其市場領導地位,而HBM在人工智能技術的發展中備受矚目。”通過提高高價值HBM產品的供應份額,SK hynix還將尋求快速的業務轉型。”