隨著AI市場的爆發，不僅CPU、GPU算力被帶動了，HBM內存也成為香餑餑，還有2.5D、3D封裝技術，但是它們的產能之前很受限制，除了成本高，焊接工藝複雜也是問題。芯片焊接目前主要採用高溫焊，焊料主要是SAC（Sn-Ag-Cu）錫、銀、銅材質，熔點超過250℃，這個溫度的焊接技術對大部分芯片來說沒問題，但HBM內存使用了TSV矽通孔技術，這樣的高溫焊接就有可能導致變形。

為此MK Electronics公司開發了專門適合HBM內存的低溫焊技術，焊球由鉍(Bi)、錫(Sn)和銀(Ag)製成，熔化溫度低於150℃，比之前降低了100多度。

低溫焊不僅提高了生產效率，還提高了HBM等芯片的良率，因為高熱導致的產品缺陷及質量也控制住了，產能也可以保障。

三星、SK海力士等公司正在擴大HBM內存的生產，這種低溫焊技術很快也會得到大面積使用。