至少根據韓國的報導，三星似乎準備在300多層NAND閃存的競爭中擊敗SK海力士。《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）在獨家報導中稱，三星將在2024年生產出300多層的V-NAND（V代表垂直或3D NAND）芯片，因此，三星可能會比SK海力士多一年的時間，這取決於三星能夠多快交付產品。

目前，三星最先進的堆疊式NAND 是236 層產品，比美光和YMTC 多四層，但比SK 海力士少兩層。

在《首爾經濟日報》的新聞報導中，最引人注目的是與SK 海力士的三層堆疊三明治不同，三星顯然將堅持使用兩層堆疊。這意味著三星的目標是每層堆疊超過150 層的NAND，這在產量方面似乎要冒很大的風險。堆疊越高，堆疊失敗的機率就越大。

但三星也許已經找到了解決這一潛在問題的辦法。由於現代3D NAND 依賴於通孔矽，因此與過去使用線鍵合相比，更容易製造更密集的堆棧，但即便如此，三星似乎仍要冒很大的風險。

儘管如此，考慮到目前的低需求和進一步減產的消息，三星利用其晶圓廠來測試這種新的、堆疊密度更高的NAND也許是個不錯的時機。三星的路線圖要求在2030 年之前生產出1000 多層的V-NAND 產品，但實現這一目標的道路似乎仍然漫長而復雜。