三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產
據電子時報報導,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位於韓國平澤市P1工廠的部分NAND閃存生產設備。據ZDNet Korea報導,業內人士透露,三星目前正在考慮停止P1工廠NAND Flash生產線部分設備的生產。該生產區主要負責生產128層堆疊的第6代V-NAND。據悉,該設備將停產至少一個月,但可能會延長至2023年下半年。
目前,三星已經減少了主要NAND Flash生產基地的晶圓投入,包括韓國平澤、華城以及中國西安。業界猜測三星的NAND Flash產量可能會減少10%左右。不過,鑑於市場持續低迷,三星在4月份發布的2023年Q1財報中正式宣布存儲器減產計劃。此外,三星在發布第Q2財報時表示,2023年下半年將重點削減NAND Flash領域的產量。
值得注意的是,第6代128層V-NAND系列工藝相對成熟,成為減產目標。目前,三星的主要銷售來自第7代和第8代V-NAND產品,分別為176層和236層。
值得注意的是,半導體公司通常採用在減產期間保持設備運行而不生產晶圓的方法。這主要是因為如果設備完全關閉,重新啟動期間重新建立工藝、達到產量需要額外的時間和金錢投資。不過,三星正在考慮停止設備運轉,不僅是為了增強減產效果,也是為了削減成本。
據報導,包括半導體在內的三星設備解決方案(DS)部門僅在2023年上半年就累計虧損8.94萬億韓元(約合67.2億美元)。因此,“降低成本”成為三星存儲業務目標管理(MBO)目標的重點之一。