三星在其未來的芯片中採用了背面功率傳輸方法，披露了與傳統工藝相比的顯著改進。三星電子在日本舉行的VLSI 研討會上公佈了新的BSPDN（背面功率傳輸網絡）方法的指標，功率傳輸網絡的製定目的是最有效地向芯片裸片提供電壓。

從形式上看，製造商採用的是通過晶圓正面提供電源的方法，這種方法雖然能完成任務，但卻帶來了功率密度的下降，最終導致性能受損。

新的BSPDN方法尚未被代工廠採用，而三星是第一個披露創新方法結果的公司。據這家韓國巨頭稱，與傳統方法相比，他們減少了14.8% 的面積。面積的減少使公司有更多的空間在芯片中添加更多的”好東西”，如晶體管，從而提高整體性能。

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三星還報告稱，導線長度減少了9.2%，雖然我們不會深入探討其中的物理原理，但概括地說，長度減少導致電阻降低，允許更大的電流流過，從而將功率損耗降至最低，並改善了功率傳輸。

三星並不是第一家披露”BSPDN”方法的公司，因為早在今年6 月，英特爾也舉行了有關該方法的發布會，並將其命名為”PowerVia”。藍隊（Team Blue）宣布計劃在其英特爾20A 節點中集成這種新方法，並披露了90% 的芯片利用率。該公司表示，”PowerVia”將解決矽架構中的互連瓶頸問題，通過晶圓背面提供電力，從而實現連續傳輸。英特爾預計在即將於2024 年推出的Arrow Lake CPU 中使用這種新方法。

三星尚未透露新的功率傳輸方法是否會集成到未來的工藝中。不過，根據該公司目前披露的信息，我們認為下一代工藝可能會在英特爾實施該技術之後稍晚一些採用該技術。