在8月8日至10日於聖克拉拉舉行的閃存峰會（FMS）2023上，SK海力士公司介紹了其321層1Tb TLC* 4D NAND閃存的開發進展，並展示了樣品。SK hynix是業內首家詳細公佈300多層NAND開發進展的公司。該公司計劃提高321層產品的完成度，並在2025年上半年開始量產。

該公司表示，已量產的全球最高238 層NAND 的成功為其積累了技術競爭力，為321 層產品的順利開發鋪平了道路。”隨著解決堆疊限制的又一次突破，SK hynix 將開啟300 層以上NAND 的時代，引領市場潮流。”

321層1Tb TLC NAND與早一代238層512Gb相比，生產率提高了59%，這得益於技術的發展，它可以在單個芯片上堆疊更多的單元和更大的存儲容量，這意味著在單個晶圓上可以生產的總容量增加了。ChatGPT 的推出加速了生成式人工智能市場的發展，自此，對能以更快速度處理更多數據的高性能、大容量存儲器產品的需求迅速增長。因此，在本屆FMS上，SK hynix還推出了針對這種人工智能需求進行優化的下一代NAND解決方案，包括採用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企業級固態硬盤。該公司希望這些產品能夠實現業界領先的性能，充分滿足客戶對高性能的需求。同時，SK hynix還宣布已開始開發下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，並通過這些產品獲得了更完善的解決方案開發技術。