航空發動機曾經被普遍譽為“工業皇冠上的明珠”，但無論軍用還是民用，我國航發都已經或正在取得重大突破，讓這顆明珠“黯然失色”。在半導體行業，光刻機被很多人稱為“半導體工業皇冠上的明珠”，但骨頭再硬，也不是不能啃下來。

近日有消息稱，上海微電子在28nm浸沒式光刻機的研發上取得重大突破，預計在2023年年底向市場交付國產的第一台SSA/800-10W光刻機設備。

光刻機是決定半導體生產工藝水平高低的核心技術，包含光學系統、微電子系統、計算機系統、精密機械系統、控制系統等構件，極為複雜精密。

事實上，光刻機是一個泛概念，包括三種不同類型：為前道光刻機、後道光刻機、面板光刻機。

前道光刻機就是我們最常說的光刻機，主要用於晶圓製造，可分為DUV、EUV兩大類，目前由荷蘭阿斯麥(ASML)佔絕對壟斷地位，日本的尼康、佳能也有很強的實力。

後道光刻機用於芯片製造後的封裝，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。

面板光刻機用於生產屏幕面板，最先進工藝只能達到55-32nm，屬於低端光刻機，但因為屏幕面板相對結構簡單，集成度要求不高，對於光刻機分辨率的要求也不高。

上海微電子裝備(集團)股份有限公司(簡稱SMEE)成立於2002年，定位為“富有國家使命的公司”，主要致力於半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、製造、銷售及技術服務，產品廣泛應用於集成電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、電源元件等製造領域。

在最先進製程的EUV光刻機方面，我國相比於外國起步晚了50年，即使是最好的上海微電子也與國外巨頭存在很大的差距。

但在非最先進製程的中高端光刻機方面，上海微電子已經具有自主生產、成熟穩定的產品，有著較高的市場佔有率，即將交付的SSA/800-10W光刻機就屬於這一系列的最新產品。

另外，上海微電子還有2.5D/3D封裝光刻機，精度在0.6微米左右，和前道光刻機有差距，但依然屬於世界領先水平。

其實，芯片製造除了光刻，還有各種平行技術，如納米壓印等，在材料上也可能用其他的代替傳統矽片作為基底，只是技術難度和成本付出是巨大的。

上海微電子此前就曾公開表示，在泛半導體方面有所研究，有多個技術路線，但是具體細節不能透露。

當然了，光刻機只是整個半導體製造產業鏈中的一環，還涉及到光刻膠、光刻氣體、光源、物鏡、塗膠顯影、光掩膜版等諸多環節，我國也都有多家公司在積極突破，提高國產率。

有數據顯示，當前我國在清洗、熱處理、去膠設備的國產化率分別達到34％、40％、90％，在塗膠顯影、刻蝕、真空鍍膜的國產化率達到10-30％，在原子層沉積、光刻、量測檢測、離子注入的國產化率暫時低於5％

值得一提的是，華為也在光刻機技術上積極投入，並取得了不俗成果，比如去年底就披露了名為“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”的專利，涉及到EUV光刻關鍵技術。

根據專利描述，這種反射鏡、光刻裝置及其控制方法涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。

反射鏡的反射麵包括多個微反射面，而多個微反射面中包括第一微反射面，以及與第一微反射面相鄰的第二微反射面，兩個微反射面之間具有高度差。