三星電子公佈2納米芯片量產路線圖將於2027年量產1.4納米芯片
三星電子公司週三表示,已公佈了其2納米製程芯片量產的詳細計劃。這表明該公司對其技術實力充滿信心,並將繼續在代工業務上加倍下注。當地時間週二,三星電子在美國加州聖何塞舉行的“三星代工論壇”(SFF)上分享了上述計劃。數百名三星代工業務客戶和合作夥伴參加了該論壇,分享了最新的技術趨勢。
根據該計劃,三星電子將分別於2025年、2026年、2027年開始批量生產用於移動應用、高性能計算和汽車的2nm芯片。
三星表示,與3納米工藝相比,2納米芯片的性能提高了12%,功率效率提高了25%,面積減少了5%。
作為全球最大的存儲芯片製造商和第二大代工企業,三星電子還表示,將按計劃於2027年開始量產1.4納米芯片。
去年6月,三星電子開始量產採用GAA (全環繞柵極)技術的3納米芯片。當時,三星已經表示其2納米工藝節點處於早期開發階段,計劃於2025年量產。
但在周二的SFF論壇上,三星首次公佈了2納米及以下節點的詳細路線圖。