SK Hynix宣布其第五代10納米工藝1bnm已經完成驗證，將為下一代DDR5和HBM3E解決方案提供支持。SK Hynix 1bnm工藝將為DDR5提供6.4 Gbps的速度，為HBM3E提供8 Gbps的速度。

SK Hynix還確認，下一代1bnm節點將被用於生產DDR5和HBM3E（高帶寬內存）解決方案。該企業表示，Xeon Scalable平台獲得了英特爾認證，支持在1bnm節點上構建的DDR5產品。1bnm DDR5內存的成功評估發生在1anm（第四代10nm節點）實現準備就緒並同時完成英特爾認證的時候。

SK Hynix預計，在成功驗證了1anm服務器DDR5產品與第四代英特爾至強可擴展處理器的兼容性之後，與英特爾合作的1bnm DDR5產品的驗證過程將順利進行。

在人們對內存市場將從下半年開始復甦的期望越來越高的情況下，我們相信我們業界領先的DRAM技術，通過這次1bnm工藝的大規模生產再次得到證明，將幫助我們從下半年開始提高收益。

開發初期試運行的DDR5產品運行速度為4.8Gbps，而JEDEC標準中規定的DDR5的最高速度為8.8Gbps。

提供給英特爾的DDR5產品的運行速度為6.4Gbps（目前為業界最高），比DDR5開發初期的測試產品的數據處理速度提高了33%。此外，1bnm DDR5內存的功耗將比1anm節點低20%，這是因為採用了高K金屬柵極工藝，引入了高介電常數材料，可以防止洩漏電流並提高電容。

HBM3E（HBM3擴展）： HBM3E是第五代高帶寬內存產品，繼承了前幾代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SK hynix計劃在下半年準備好HBM3E產品的樣品，以8Gbps的數據處理速度運行，並在2024年開始大規模生產。

該企業還表示，該公司將在2024年下半年前採用1bnm工藝生產基於LPDDR5T和HBM3E的產品。SK Hynix計劃準備以8Gbps數據處理速度運行的HBM3E產品的樣品，並在2024年開始大規模生產。