DRAM內存進入20nm節點以內已經有四五年時間了，三星、SK海力士及美光三大巨頭開發了多代1x nm工藝的內存，作為一哥的三星從14nm節點開始引入EUV工藝，前不久還正式量產了12nm工藝的內存。

新內存單顆容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，相當於每秒可處理兩部30GB的超高清電影，對比上代功耗降低了多達23％，同時晶圓生產率提高了20％。

12nm之後呢？去年有消息稱三星還在開發11nm工藝的內存，但即便11nm內存搞定了，內存行業遲早還要面對10nm以下的內存如何製造的難題，這就需要全面改進內存芯片架構了。

日前韓國媒體爆料稱，三星已經組建了一個團隊，負責研發4F2結構（下圖中WL與BL的乘積，數字越小意味著面積越小）的新一代DRAM內存芯片，與現在的6F2結構相比，即便工藝不變，面積也能減少30%，進一步提高存儲密度。

按照三星的想法，4F2架構的內存芯片有望成為10nm以下工藝節點的關鍵，工藝提升+架構改進雙管齊下進一步推進內存芯片容量、性能等提升。

不過4F2結構的內存芯片早在10多年前就有研發了，剛進入DDR3時代就有廠商計劃使用，只是一直沒有取得實際的進展，製造難度也是非常大的。

除了4F2結構的內存之外，其他廠商還在計劃別的技術路線，SK海力士的目標就是3D DRAM內存，但是這些新技術都有製造成本高的問題，需要時間來解決。