三星電子12納米DDR5 16Gb DRAM開始量產效率提升23%
三星已經開始大規模生產其全新的16Gb DDR5 DRAM，它將採用12納米工藝節點。由於採用了新工藝，將具有更高的能源效率和傳輸速率。與上一代產品相比，三星新的12納米級DDR5 DRAM的功耗降低了23%，同時將晶圓的利用率提高了20%。
三星之所以能夠開發出12納米級的工藝技術，是因為使用了一種新的高κ材料，有助於提高電池電容。高電容會使數據信號出現明顯的電勢差，從而更容易準確區分這些信號。公司在降低工作電壓和減少噪音方面的努力也有助於提供客戶需要的解決方案。
三星的12納米級DDR5 DRAM陣容擁有每秒7.2Gbps的最高速度，也就是大約一秒鐘內可以處理兩部30GB UHD電影的速度，這使得它可以支持越來越多的應用，包括數據中心、人工智能和下一代計算。
三星公司去年12月完成了與AMD兼容的16千兆位DDR5 DRAM評估，並繼續與全球IT公司合作，推動下一代DRAM市場的創新。