三星半導體業務高管前幾天表態要用5年時間赶超台積電，實現這個目標就離不開先進工藝，去年6月份三星就宣布全球首發3nm GAA工藝，日前該公司又推出了第二代3nm工藝，預計在2024年量產。

三星的3nm工藝很激進，相比台積電2nm工藝才會轉向GAA晶體管的保守，三星在第一代3nm工藝上就使用了GAA晶體管技術，而且是MBCFET多橋通道場效應晶體管，被稱為SF3E，也就是3GAE工藝。

這次宣布的是SF3工藝，也就是之前的3GAP高性能工藝，三星提到該工藝相比SF4（4nm LPP）工藝，在相同功耗及晶體管密度下速度提升22%，或者功耗降低34%，面積縮小21%。

這個提升幅度很大，但是三星對比的是二代3nm與4nm，沒有直接提及兩代3nm工藝之間的變化。

根據三星公佈的路線圖，SF3工藝預計在2024年量產，之後還會有增強版的SF3P，也就是3GAP+，2025年量產。

再往後還有2nm節點的SF2、SF2P工藝，2027年甚至連1.4nm節點的SF1.4工藝也規劃好了。