全球主要的兩種存儲芯片中，NAND閃存已經進入3D時代，容量比2D時代大幅提升，DRAM內存還停留在2D，現在美國NEO半導體公司日前宣布了全球首款3D內存，旨在解決內存容量瓶頸，容量追上SSD不是問題。

NEO是美國一家存儲芯片技術公司，此前推出的3D X-NAND閃存號稱解決了TLC、QLC閃存的性能及耐用性問題，這次推出的3D X-DRAM又號稱全球首款類3D NAND的內存技術，將內存帶入3D時代，要做內存行業的遊戲規則改變者。

3D X-DRAM技術的思路跟3D NAND閃存類似，都是通過堆棧層數來提高內存容量，類似於閃存芯片中的FBC浮柵極技術，但增加一層Mask光罩就可以形成垂直結構，因此良率高，成本低，密度大幅提升。

NEO公司承諾，2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230層堆棧，核心容量128Gb，而當前2D DRAM內存的核心容量還在16Gb，實現了8倍容量。

這還不算，NEO公司的目標是每10年將3D X-DRAM容量提升8倍，到2035年的時候推出1Tb核心容量的3D X-DRAM，相比現在總計64倍容量提升。

按照他們的說法，未來的內存不僅輕鬆TB容量起步，追上SSD硬盤也很容易，要知道當前3D閃存的核心容量也就512Gb到1Tb。

不過NEO公司的問題在於他們自己沒有晶圓廠，因此3D X-DRAM投入生產還要靠合作，他們計劃尋找授權廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等等。