高通公司的驍龍8代是基於台積電的4納米工藝製造的，但該公司有可能通過與三星合作，在未來的高端芯片組中採用雙源的目的。有傳言稱，可能會採用台積電和三星分別提供的尖端N3E和3納米GAA工藝來實現這一目標。

驍龍8代”Galaxy”定製品牌可能會被保留，用於完全依靠三星的製造技術批量生產的SoC。

隨著三星在其最新季度財報中宣布其3納米GAA技術的進展，Revegnus報導說，該公司的晶圓產量似乎表現良好。消息人士認為，這就是高通和這家韓國巨頭合作打造高端驍龍8號芯片組的變種的原因。例如，假設該計劃在2024年初實現，那麼常規的驍龍8代將在台積電的N3E工藝上交付，這是公司3納米架構的改進迭代。

第二個版本將採用三星的3納米GAA工藝製造，並可能被命名為”Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy”，並為Galaxy S25系列保留。此前有傳言稱，高通公司將轉向雙源方案，因為從商業角度來看，這是節約成本的最明智選擇。據說今年只有蘋果在台積電的3納米工藝上大規模生產芯片組，高額的晶圓價格使高通和聯發科不願意下訂單。

然而，這並不意味著台積電的N3E工藝會更便宜，因此轉向三星的3納米GAA節點將是正確的做法。不幸的是，就今年而言，高通似乎沒有計劃利用三星的下一代3納米GAA技術。相反，即將發布的驍龍8 Gen 3據說將在台積電的N4P工藝上進行量產，為未來的Galaxy S24機型帶來稍好的電源效率。

過去發布的Snapdragon 8證明了台積電的代工廠比三星的代工廠更有優勢，因此後者正在加快步伐，再次確保與前客戶的業務往來，這一點也不令人驚訝。