SK hynix宣布了世界上第一款12層HBM3內存，與上一代相比，每個堆棧的容量提高到24GB。據SK hynix稱，12層HBM3堆棧與之前的8層HBM3堆棧相比，內存容量提升了50%，後者提供高達16GB的內存容量。雖然還沒有宣布使用這種內存的新產品，但NVIDIA和AMD有可能在今年晚些時候使用新的內存設計，為其現有的Hopper和Instinct產品提供更高的容量，客戶對樣品的性能評估正在進行中。

“繼去年6月量產全球首款HBM3之後，公司成功開發了24GB封裝產品，該產品的內存容量比之前的產品增加了50%，”SK hynix說。”我們將從今年下半年開始向市場供應新產品，以配合人工智能驅動的聊天工具行業對高端內存產品不斷增長的需求。”

SK hynix的工程師通過在最新產品中應用先進的大規模回流模塑（MR-MUF）技術，提高了工藝效率和性能穩定性，而矽通孔（TSV）技術將單個DRAM芯片的厚度減少了40%，實現了與16GB產品相同的堆疊高度水平。

“SK hynix通過其在後端工藝中使用的領先技術，能夠持續開發一系列超高速和高容量的HBM產品，”SK hynix封裝和測試主管Sang Hoo Hong說。”公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備，以進一步鞏固其在人工智能時代的尖端DRAM市場的領導地位。”

由SK hynix在2013年首次開發的HBM，因其在實現高性能計算（HPC）系統中運行的生成式人工智能中的關鍵作用，已經引起了存儲芯片行業的廣泛關注。