Meminductor – 記憶電感器的物理證據得到證實
德克薩斯A&M大學電氣和計算機工程系副教授H.Rusty Harris博士發現了一種被稱為”膜電感”(Meminductor)的新型電路元件。電路元件是指用於調節和引導電路中的電流的電氣元件。傳統的三個電路元件是電阻器、電容器和電感器。
在過去的15年裡,人們發現了另外兩個電路元件,即記憶體和記憶電容。這些較新的電路元件被稱為其經典對應物的”mem-“版本,表現出獨特的電流和電壓特性,這些特性在時間上取決於先前的電流或電壓值,就像一個存儲器。
Harris說:”就電氣工程而言,這兩項發現使世界有點兒變了樣。突然間,我們認為我們有三個,但現在我們發現了另外兩個。因此,這使我們想到肯定還有更多,但我們如何理解它們是什麼?我們如何將所有這些東西相對地映射到彼此之間?結果發現,每個電阻和它的家族以及每個電容和它的家族之間都有關係。”
哈里斯和他的學生創建了一個兩端無源系統–主要由一個與一對永久磁鐵相互作用的電磁鐵組成–來研究電感電路元件的磁通密度和磁化場強度。在這個工具的幫助下,哈里斯能夠證明電感器內存在導致其mem-狀態,或類似記憶的性質的捏合磁滯曲線,其定義與記憶體和記憶電容器的實現相同。
該研究小組在2月份的《科學報告》雜誌上發表了他們的新電路元件發現,該雜誌是世界上引用率第五高的雜誌,屬於《自然》期刊體系。
“新發現是非常令人興奮的,”哈里斯說。”而在這個項目上,學生和教授之間的互動也很美好。在我們的頭腦風暴會議上,我們相互餵養–我根據與他的討論學到了新的東西,他根據我的經驗學到了新的東西。”