三星公佈了其下一代DRAM和內存解決方案的計劃，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作為先進半導體技術的全球領導者，三星電子今天在2022年三星技術日上展示了一系列尖端的半導體解決方案，這些解決方案將在十年內推動數字轉型。自2017年以來的年度會議，該活動在三年後回到了聖何塞希爾頓酒店的Signia by Hilton酒店親自出席。

今年的活動有800多名客戶和合作夥伴參加，三星的內存和系統LSI業務領導人–包括內存業務總裁兼負責人Jung-bae Lee、系統LSI業務總裁兼負責人Yong-In Park和執行副總裁兼設備解決方案（DS）美洲辦事處負責人Jaeheon Jeong，一同就公司的最新進展和未來願景發表了演講。

系統LSI業務亮點

在今年技術日的上午會議上，系統LSI業務強調了其目標，即通過最大限度地發揮其獨特和廣泛的產品系列之間的協同作用，成為一個”整體解決方案無工廠”。作為三星電子的無晶圓廠IC設計公司，系統LSI業務目前提供約900種產品，其中包括SoC（片上系統）、圖像傳感器、調製解調器、顯示驅動IC（DDI）、電源管理IC（PMIC）和安全解決方案。

系統LSI業務不僅製造領先的單個產品，而且是一個整體解決方案供應商，可以將各種邏輯技術合併到一個平台，以便向客戶提供優化的解決方案。

“在一個需要機器像人一樣學習和思考的時代，扮演大腦、心臟、神經系統和眼睛角色的邏輯芯片的重要性正增長到前所未有的水平，”三星電子總裁兼系統LSI業務負責人Yong-In Park說。”三星將融合併結合其嵌入SoC、傳感器、DDI和調製解調器等各種產品中的技術，以便作為整體解決方案供應商引領第四次工業革命。”

第四次工業革命是System LSI技術日會議的一個關鍵主題。System LSI業務的邏輯芯片是超智能、超連接和超數據的重要物理基礎，這些都是第四次工業革命的關鍵領域。三星電子的目標是將這些芯片的性能提高到能夠像人一樣完成人類任務的水平。

考慮到這一願景，系統LSI業務正專注於提高NPU（神經處理單元）和調製解調器等基本芯片的性能，並通過與全球行業領先的公司合作，創新CPU（中央處理單元）和GPU（圖形處理單元）技術。

系統LSI業務也在繼續其在超高分辨率圖像傳感器方面的工作，以便其芯片能夠像人眼一樣捕捉圖像，並且還計劃開發能夠發揮人類所有五種感官作用的傳感器。

新一代邏輯芯片亮相

三星電子在技術日展台上首次披露了一些先進的邏輯芯片技術，包括5G Exynos Modem 5300、Exynos Auto V920和QD OLED DDI，這些芯片是移動、家電和汽車等各個行業的重要組成部分。

今年新發布或宣布的芯片，包括高端移動處理器Exynos 2200，以及20萬像素的ISOCELL HP3–擁有業界最小的0.56微米（μm）像素的圖像傳感器也在展出之列。Exynos 2200採用最先進的4納米（nm）EUV（極紫外光刻）工藝，ISOCELL HP3的像素尺寸比上一代產品的0.64μm小12%，可以使攝像頭模塊的表面積減少約20%，使智能手機製造商能夠保持其高端設備的纖薄。

三星展示了其ISOCELL HP3的實際應用，向技術日的與會者展示了用20萬像素傳感器相機拍攝的照片質量，並展示了System LSI用於生物識別支付卡的指紋安全IC的工作原理，該IC結合了指紋傳感器、安全元件（SE）和安全處理器，為支付卡增加了額外的認證和安全層。

存儲器業務亮點

今年是三星在DRAM和NAND閃存領域分別領先30年和20年的一年，三星發布了第五代10納米級（1b）DRAM以及第八代和第九代垂直NAND（V-NAND），肯定了該公司在未來十年繼續提供最強大的內存技術組合的承諾。

“萬億GB是三星自40多年前開始生產的內存總量，這一萬億中大約有一半是在過去三年裡生產的，這表明數字轉型的進展有多快，”三星電子總裁兼內存業務主管Jung-bae Lee說。”隨著內存帶寬、容量和功率效率的進步使新的平台成為可能，而這些反過來又刺激了更多的半導體創新，我們將越來越多地推動在數字共同進化的道路上實現更高水平的整合。”

推進數據智能的DRAM解決方案

三星的1b級DRAM目前正在開發中，計劃在2023年進行大規模生產。為了克服DRAM擴展到10納米範圍以外的挑戰，該公司一直在開發圖案化、材料和架構方面的顛覆性解決方案，像High-K材料這樣的技術正在順利進行。

該公司隨後強調了即將推出的DRAM解決方案，如32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM，它們將為數據中心、HPC、移動、遊戲和汽車市場領域帶來新的功能。

除了傳統的DRAM之外，三星還強調了定制的DRAM解決方案的重要性，如HBM-PIM、AXDIMM和CXL，它們可以推動系統級創新，更好地處理全球數據的爆炸性增長。

2030年達到1000多個V-NAND層

自十年前成立以來，三星的V-NAND技術已經發展了八代，帶來了10倍的層數和15倍的比特增長。三星最新的512Gb第八代V-NAND的比特密度提高了42%，達到了迄今為止512Gb三層單元（TLC）存儲器產品中的行業最高比特密度。世界上最高容量的1Tb TLC V-NAND將在今年年底前提供給客戶。

該公司還指出，其第九代V-NAND正在開發中，併計劃於2024年進行大規模生產。到2030年，三星設想堆疊超過1000層，以更好地支持未來的數據密集型技術。

隨著人工智能和大數據應用推動了對更快和更大容量內存的需求，三星將繼續通過加速向四級單元（QLC）過渡來實現位密度的飛躍，同時進一步提高電源效率，支持全球客戶更可持續的運營。