在接受Bits & Chips 採訪時，台積電首席技術官Martin van den Brink 預計—— 在不遠的將來，半導體光刻技術或走到盡頭。按照現有的路線圖，台積電將在極紫外光刻（EUV）之後轉向高數值孔徑。該公司現正攜手Imec，準備2023 年迎來其首台研究型High-NA 掃描儀。

資料圖（來自：ASML）

如果一切順利，ASML 有望2024 年交付首台研發機器，並於2025 年的某個時候迎來首批使用High-NA 的量產設備。不過出於對當前供應鏈不確定性的擔憂，這一最終時機或有所改變。

正因如此，當前訂單將是優先事項。如有需要，Hign-NA 的開發可能會被擱置。或正如Martin van den Brink 所述——“當下吃飽，比明日吃好更加重要”（today’s meal takes priority over tomorrow’s）。

此外作為光刻技術發展的下一階段，預計High-NA 掃描儀將比EUV 更耗電、各階段功率約2 兆瓦，且製造和使用成本都會高到讓人望而卻步。

Martin van den Brink 總結道：若“超數值孔徑”（hyper-NA）的成本暴漲類似“高數值孔徑”（Hign-NA），那在克服該問題之前，它在經濟效益層面幾乎就是不可行的。