美光擬10年投資150億美元在美國新建內存芯片工廠
美國當地時間週四,美光宣布將在未來10年投資約150億美元,在愛達荷州博伊西新建一家內存芯片製造工廠。美光錶示,這將是20年來在美國本土新建的首家內存芯片製造廠,也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。該公司預計,這項投資計劃將在2030年前總共創造1.7萬個就業機會,其中該公司將直接創造2000個崗位。
美光在新聞稿中稱,這項投資確保了DRAM(動態隨機存取存儲器)和NAND閃存的美國國產化。此前,這類芯片大部分產自亞洲。新設施生產的內存將用於汽車、數據中心、人工智能(AI)和5G等領域。
這項投資決定是在美國總統喬·拜登(Joe Biden)簽署《芯片法案》之後做出的,美光稱愛達荷州提供的激勵措施也發揮了重要作用。
美光首席執行官桑賈伊·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示:“我們新的尖端內存芯片製造工廠將推動美國爭取技術領先地位,確保可靠的國內半導體供應,這對經濟和國家安全至關重要。”
拜登總統在聲明中說:“美光此舉代表著美國的又一大勝利,我們將在美國製造電動汽車、芯片、光纖和其他關鍵部件。”
美光沒有提供新工廠產能或將生產的芯片類型等細節。此次擴張正值美光因需求疲軟而下調其第四季度營收預期之際,其競爭對手同行希捷也大幅下調了第一財季的預期。
市場研究機構Summit Insights Group分析師Kinngai Chan表示:“美光正在按照美國政府希望的方式行事,那就是在美國建造製造工廠。”
美光計劃在2030年前投資400億美元,分多個階段在美國建設製造設施,以支持其在美國弗吉尼亞州、日本、新加坡等地的工廠。這項計劃估計總共可創造4萬個就業機會。