我們正在等待AMD詳細介紹其新的”Zen 4″微架構的技術文件，特別是所有重要的CPU核心前端和分支預測單元，這些單元為比上一代”Zen 3″核心多出13%的IPC貢獻了三分之二，雖然實物還沒有出現，技術愛好者社區已經在解讀Ryzen 7000系列發布會上的圖片。

“Skyjuice”展示了”Zen 4″內核的第一個註釋，揭示了它的大型分支預測單元、擴大的微操作緩存、TLB、加載/存儲單元以及能夠支持AVX-512的雙泵送256位FPU。該核心四分之一的芯片面積也被1MB的專用二級緩存所佔用。

Chiakokhua（又名退休工程師）發布了一張表格，詳細介紹了各種緩存及其延遲，並與”Zen 3″內核的緩存進行了比較。正如AMD的Mark Papermaster在Ryzen 7000發布會上透露的那樣，該公司已經將該核心的微操作緩存從4K B擴大到6.75KB。L1I和L1D緩存的大小仍為32KB；而L2緩存的大小增加了一倍。L2高速緩存的擴大略微增加了延遲，從12個週期增加到14個週期。共享L3高速緩存的延遲也增加了，從46個週期增加到50個週期。調度階段的重新排序緩衝器（ROB）已經從256個條目擴大到320個條目。L1分支目標緩衝器（BTB）的大小從1KB增加到1.5KB。

儘管晶體管數量較多，但Zen 4的CCD比Zen 3的CCD略小，這要歸功於5納米（TSMC N5工藝）製程的轉換。新一代CCD的尺寸為70mm²，而”Zen 3″的CCD尺寸為83mm²。Zen 4″CCD的晶體管數量為65.7億，比”Zen 3″CCD及其41.5億晶體管數量增加了58%。

cIOD（客戶端I/O芯片）有很大一部分創新。它建立在6納米（台積電N6）節點上，與Ryzen 5000系列處理器的cIOD所採用的GlobalFoundries 12納米節點相比，這是一個巨大的飛躍。它還吸收了Ryzen 6000″Rembrandt”處理器的某些電源管理功能。除了DDR5內存控制器和一個PCI-Express Gen 5根複合體，這個CIOD還配備了一個基於RDNA2圖形架構的iGPU。新的6納米cIOD尺寸為124.7平方毫米，相比之下，Ryzen 5000系列的cIOD略大124.9平方毫米。

“Raphael”多芯片模塊為6核和8核SKU配備一個CCD，為12核和16核SKU配備兩個CCD。”Raphael”是在Socket AM5封裝中構建的。據傳，AMD正在為高性能筆記本平台準備一種薄BGA封裝的”Raphael”，它的代號為”Dragon Range”。這些處理器將有各種45W、55W和65W的TDP選項，可以為高端遊戲筆記本提供多種選擇。