說到國產NAND閃存，大家肯定第一個想到長江存儲，但在這一行業努力的還有很多家。8月19日，東芯半導體在回答投資者提問時透露，該公司採用19nm先進工藝的NAND Flash閃存產品已完成了首輪流片，目前正在產品調試的過程中。東芯稱，公司在更新工藝方面不斷鑽研，從38nm、24nm再到正在開發的19nm的工藝，通過更新工藝來為客戶帶來更具性價比、更高容量的產品。

對於是否會進軍3D NAND閃存，東芯回應稱，目前聚焦於中小容量通用型存儲芯片的研發、設計和銷售，暫不涉及3D NAND業務。

另外，車規級存儲器產品對各項指標都有更高的要求，因此認證、導入時間較長，目前相關產品正在積極研發和導入過程中。

公開資料顯示，東芯半導體股份有限公司(DoSilicon)成立於2014年，總部位於上海，在深圳、南京、香港、韓國均設有分公司或子公司，致力於成為領先的存儲芯片設計公司，服務全球客戶。

作為Fabless芯片企業，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦於中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的設計、生產和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。