三星正準備量產第8 代V-NAND 閃存，包括即將推出的PCIe 5.0 SSD 在內的產品，都有望為用戶帶來巨大的存儲容量和性能體驗提升。隨著V-NAND 升級到236 層，同等存儲容量的體型也可變得更加緊湊。作為參考，去年發布的第7 代V-NAND 已提供176 層、且支持高達2.0 GT/s 的傳輸速率。

除了台式機和筆記本電腦，智能手機也有望迎來基於最新一代V-NAND 的UFS 3.1（以及最新的UFS 4.0）標準的高速閃存。

不過想要堆砌更多層的3D-NAND 也並非易事，儘管三星早在2013 年就率先發布了初代V-NAND，但實際推行仍相當謹慎。

於是在突破200 層大關的時候，三星分別被美光（232L）和SK 海力士（238L）給反超。

直到去年提供超過200 層的V-NAND 閃存樣品，三星才逐漸積累了所需的先驗知識。

雖然我們尚未知曉三星第8 代V-NAND 的確切規格參數，但新一代產品勢必會帶來性能與密度的大幅提升。

作為參考，美光聲稱其232 層NAND 可實現單顆2TB 容量，以及11.68 GB/s 讀取和10 GB/s 的寫入速度。

在將上述特性縮放到一張郵票大小的芯片上的同時，整體讀取延遲也有所改進，意味著傳輸速度的繼續提升。

最後，隨著AMD銳龍7000 和英特爾Raptor Lake 平台即將上市，相信三星頁會很快向客戶交付更大容量@ 10+ GB/s 速率的固態驅動器。