幾個月前，DDR5內存成為主流，但三星現在已經開始了下一代DDR6內存的早期開發過程。在韓國水原的一次研討會上，三星負責測試和系統封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來內存本身性能的擴大，封裝技術也需要不斷發展。該公司證實，它已經處於下一代DDR6內存的早期開發階段，將採用MSAP技術。

根據三星的說法，MSAP已經被其競爭對手（SK海力士和美光）用於DDR5。那麼，MSAP有什麼新特點呢？MSAP修正後的半加成工藝允許DRAM製造商創建具有更精細電路的內存模塊。這是通過在以前未被觸及的空位上塗抹電路圖案來實現的，這樣可以實現更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內存不僅將利用MSAP來加強電路連接，而且還將適應DDR6內存中增加的層數。

以前的帳篷法只能在圓形銅板上形成電路圖案的區域進行塗層，而其他區域則被蝕刻掉。但在MSAP中，電路以外的區域都被鍍上了一層，這樣就可以形成更精細的電路。副總裁Ko說，隨著存儲芯片的容量和數據處理速度的提高，必須設計出適合這種情況的封裝。隨著層數的增加和工藝的複雜化，內存封裝市場也將呈指數級增長。

在扇出（另一種封裝技術，即把I/O終端放在芯片外面，讓芯片變得更小，同時保留球狀佈局）型封裝方面，三星正在應用扇出-晶圓級封裝（FO-WLP）和扇出-面板級封裝（FO-LP）。

三星預計其DDR6設計將在2024年之前完成，但預計2025年之後才會有商業使用的可能。就規格而言，DDR6內存的速度將是現有DDR5內存的兩倍，傳輸速度可達12800 Mbps（JEDEC），超頻後的速度可超過17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200 Mbps，在JEDEC標準下提高了1.7倍，在下一代內存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。

除了介紹新技術外，內存製造商強調了在未來我們可以看到DDR5-12600規格產品的出現，DDR5也有潛力繼續用於消費平台。預計今年晚些時候，隨著AMD的Zen 4和英特爾的Raptor Lake CPU平台的推出，DDR5內存模塊的速度會更快，調整的幅度也更大。