近日，中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領域取得重要進展。據悉，a-IGZO被視為實現高密度三維集成的最佳候選溝道材料之一。三維集成技術的本質是為提高晶體管在芯片上的集成密度。因此，對於兼容後道工藝的a-IGZO晶體管來說，探索其尺寸的極限微縮是實現高密度三維集成的關鍵。

器件結構示意圖及TEM表徵圖圖源： 中科院微電子研究所

針對上述問題，微電子所重點實驗室科研人員通過採用宏觀電學測試和微觀表徵技術相結合的方法，研究了尺寸微縮時a-IGZO晶體管基本特性的變化規律，通過微縮柵介質等效氧化層厚度和半導體厚度來提高器件的柵控能力，進一步優化金屬半導體接觸，降低了器件的接觸電阻，並使用柵控能力更強的雙柵互聯結構與操作模式，實現了性能優異的雙柵a-IGZO短溝道晶體管。

此外，基於該成果的文章入選2022 VLSI，同時入選demon session 文章。（校對/Vinson）