在上月的IEEE VLSI Symposium 會議期間，英特爾聲稱其已做好了縮小半導體製程節點的準備。而用上了EUV 極紫外光刻的Intel 4（7nm）工藝後，藍廠得以讓芯片在消耗相同或更少功率的情況下提升20% 以上的性能、或在相同頻率下獲得大約40% 的優勢。

（通過WCCFTech）

與英特爾之前的Intel 7（10nm）ESF 技術節點相比，Intel 4（7nm）工藝不僅將晶體管密度提升了兩倍、還能夠達成更強勁的表現。

此前該公司在從14nm 向10nm 工藝轉進的過程中消耗了相當長的時間，但在拖延了數年之後，DigiTimes 稱其將進一步加速。

報導指出，Intel 3 工藝將於2023 下半年開始增加產能，並帶來相較於Intel 4 工藝達18% 的性能提升。

據悉，新Intel 4 節點將為14 代Meteor Lake 消費級Core 產品線、以及企業級的Granite Rapids 至強CPU 提供支撐。

雖然作為12 代Alder Lake 芯片的繼任者，我們距離13 代Raptor Lake 的發布還有較長的一段時間。

但若能穩定延續既定的目標，藍廠將不會在AMD的步步緊逼下，持續讓合作夥伴和廣大客戶感到失望。

此外英特爾有計劃在量產版的Meteor Lake 處理器上率先引入小芯片設計，輔以靈活的Tile 架構+ Foveros 3D 封裝。

與此同時，競爭對手AMD 會用上台積電的N5 / N4 工藝，並繼續在集成了RDNA 核顯的APU 產品線上發力。

不過在此之前，我們還是更加期待13 代酷睿和銳龍7000 系列Zen 4 處理器的市場表現。