本週四，美光（Micron）隆重宣布了業內首創的232 層3D NAND 存儲解決方案，併計劃將之用於包括固態硬盤（SSD）驅動器在內的各種產品線。在陣列下CMOS 架構（簡稱CuA）的加持下，美光得以將兩個3D NAND 陣列彼此堆疊。如果一切順利，該公司有望於2022 下半年開始增加232 層3D TLC NAND 閃存芯片的生產。

結合CuA 設計+ 232 層NAND 方案，有助於極大地縮減美光1Tb 3D TLC 閃存芯片的尺寸，同時降低生產成本或提升利潤率。

美光尚未披露232L 3D TLC NAND 的IC 面積和I/O 速率，但暗示新閃存將具有比現有3D NAND 設備更高的性能，推測可用於配備了PCIe 5.0 接口的下一代SSD。

美光科技產品執行副總裁Scott DeBoer 指出：該公司的相關閃存設備將配備自研和第三方主控，同時他們會保持與其他開發人員保持密切的合作，以提供對於新閃存的適當支持。

該公司圍繞業內領先的託管型NAND 存儲、以及數據中心/ 客戶端SSD 產品所需的技術進行了優化研發，且內外部控制器組合一直是其垂直產品集成的一個重要組成部分。

這麼做不僅可以確保為NAND / 控制器技術實施恰當的優化，還能夠滿足其保持業內領先的相關要求。

該公司稱，與上一代工藝節點相比，新一代232 層3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光長期專注於移動應用，並與下游設備製造商保持著良好的合作夥伴關係。

最後，鑑於美光計劃在2022 下半年開啟232 層3D TLC NAND 的生產，預計各類終端產品（比如SSD）也會在2023 年陸續上市。