三星周四表示，它有望在本季度（即未來幾週）開始使用其3GAE（3nm級柵極全方位早期）製造工藝大批量生產芯片。這一宣布不僅標誌著業界首個3nm級的製造技術，而且也是第一個使用柵極全包圍場效應晶體管（GAAFET）的節點。

三星通過世界上首次大規模的GAA 3nm工藝，加強其技術領導地位。三星代工的3GAE工藝技術是該公司第一個使用GAA晶體管的工藝，三星官方稱之為多橋通道場效應晶體管（MBCFETs）。

三星大約在三年前正式推出了其3GAE和3GAP節點。當該公司描述其使用3GAE技術生產256Mb GAAFET SRAM芯片時，它提出了一系列的要求。三星表示，該工藝將使性能提高30%，功耗降低50%，晶體管密度提高80%。不過，對三星來說，性能和功耗的實際組合將如何發揮，還有待觀察。

從理論上講，與目前使用的FinFET相比，GAAFET有許多優勢。在GAA晶體管中，通道是水平的，被柵極所包圍。GAA通道是利用外延和選擇性材料去除形成的，這使得設計者可以通過調整晶體管通道的寬度來精確地調整它們。通過更寬的通道獲得高性能，通過更窄的通道獲得低功率。這樣的精度大大降低了晶體管的漏電電流以及晶體管的性能變化，這意味著更快的投產時間、上市時間和提高產量。

另外，根據應用材料公司最近的一份報告，GAAFET有望減少20%-30%的電池面積。三星的3GAE，作為一種”早期”的3nm級製造技術，3GAE將主要被三星LSI（三星的芯片開發部門）和兩三個高級客戶使用。考慮到三星LSI和早期客戶傾向大批量製造芯片，預計3GAE技術將得到相當廣泛的使用，前提是這些產品的產量和性能達到預期。