英特爾在去年七月份的“英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發布會”上，展示了一系列底層技術創新，以驅動英特爾到2025年乃至更遠未來的新產品開發。

除了公佈其近十多年來首個全新晶體管架構RibbonFET和業界首個全新的背面電能傳輸網絡PowerVia之外，英特爾還重點介紹了迅速採用下一代極紫外光刻（EUV）技術的計劃，即高數值孔徑（High-NA）EUV，並將部署業界第一台High-NA EUV光刻機。

英特爾最新工藝路線圖看起來是非常積極的，這是一個四年內推進五個製程節點的計劃。雖然帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）回歸英特爾擔任CEO以後，藍色巨人的表現有所起色，但鑑於過去多年來的羸弱表現，不少人對這份工藝路線圖持保留態度。近日，半導體諮詢公司IC Knowledge的總裁Scotten Jones為SemiWiki撰寫了一篇文章，談及了自己對英特爾的計劃從懷疑到獲得信心的過程。

Scotten Jones分析了英特爾、台積電和三星未來幾年可能的半導體技術研發情況，認為英特爾隨著更多地使用極紫外（EUV）光刻設備，加上在Intel 20A製程節點引入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術，將會有一個巨大的突破。預計2024年末（最初的說法是2025年初）英特爾將推出對RibbonFET改進後的Intel 18A，那麼很可能在2025年壓倒台積電的N2製程節點，取得每瓦性能的領先。