據Business Korea 報導，三星近期設立了一個新的目標，希望在今年6 月前完成基於11nm 工藝節點的第六代1c DRAM 芯片的開發。消息稱，該公司已要求自家研發人員停下或跳過基於12nm 工藝節點的1b DRAM 芯片的開發，以期擴大並維持較競爭對手（包括SK 海力士和美光科技）的技術領先優勢。

資料圖（來自：Samsung 官網）

當然，這不是我們首次看到三星作出類似的決定，此前這家韓國電子科技巨頭曾放棄28nm DRAM、並全面轉向25nm DRAM 的生產。

不過業內專家指出，11nm DRAM 的生產並非易事。因其需要先進的技術作為支撐，而當前三星在1a DRAM（10 納米級別的第4 代內存產品）的量產上落後於兩大競爭對手。

在巨大的壓力之下，報導稱三星正希望找到一種方法來實現既定目標。