與邏輯工藝一樣，內存芯片工藝在進入20nm節點之後也陷入了難以製造的境地，三星作為全球內存一哥雖然走在了技術開發的前列，但是在新一代內存研發上也面臨困難，最新消息稱13nm工藝的內存已經宣告失利。

簡單說下，內存工藝在20nm節點之後就有不同斷代方法，之前用的是1x、1y、1z，後來又有了1a、1b、1c工藝，不過三星、SK海力士及美光三大內存巨頭的實際工藝也不完全是這樣，有時公佈的還是數字+nm命名的，反正內存工藝命名是有些混亂的。

總體來說，三星在DRAM工藝上是最先進的，2020年率先研發成功1z工藝內存，大概是15nm級別的，2021年又宣告研發成功1a工藝內存，也就是14nm工藝的，還首次使用了EUV光刻工藝。

再往下就是1b工藝了，大概是12-13nm級別，三星去年宣布成立專門的研發團隊攻克1b工藝內存，然而最新消息稱三星已經中斷了研發，13nm級別的內存被間接承認失敗。

內存工藝在14nm之後是否就此停滯？現在還不好說，三星也表示會對研究方向進行探討，我們現在能知道的就是14nm之後的研發會很難，哪怕突破1nm工藝，2年時間都沒搞定。