今年3月份，Intel CEO帕特基辛格（Pat Gelsinger）曾在投資交流活動中透露，Intel 18A工藝將比原定時間提前半年投產，現在Intel正用實際行動踐行著承諾。本週，Intel在位於美國俄勒岡的D1X工廠舉辦隆重的Mod3擴建儀式，並將此地命名為戈登摩爾公園（Gordon Moore Park）。

Mod3的說法類似於我們遊戲中所謂的Mod，也就是模塊，實際上，這是Intel為D1X工廠打的第三個MOD“補丁”，也是第二次擴建，投資高達30億美元。

D1X-Mod3的主要工作實際上從去年8月份就開始了，其重大意義在於，為工廠增加了2.5萬平米的潔淨室空間，將D1X擴大了20%，這便為最終足以搬進ASML的下一代最先進高數值孔徑（High NA）EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200 EUV創造必要條件。

和服務Intel 3/4工藝的NXE 3000系列EUV光刻機相比，EXE 5200大了很多，突破了D1X原“天花板”。

回到18A工藝製程，提速後，最快可以在2024年三季度登場。

關於18A，簡單解釋下。其實按照Intel之前多年“老實”的命名習慣，其對應5nm+。但由於對手台積電、三星早就破壞了晶體管尺度定義規範，Intel索性也下場“肉搏”了。外界傾向於認為，18A對應18埃米，也就是1.8nm，對標的是台積電2nm。

修訂後的Intel最新工藝路線圖如下：

可以看到，今年開始到2024年，Intel的製程迭代將會非常緊湊，下半年會有第一代大規模使用EUV的Intel 4（原7nm），明年下半年則是最後一代FinFET晶體管的Intel 3（原7nm+）。

2024年會全面進入基於環繞柵極晶體管技術的RibbonFET晶體管時代，同時還有Intel獨創的PowerVia背面電路，首發是Intel 20A（原5nm），名義2nm。

Intel新老工藝命名及指標整理，供參考