經歷了多年的製程迭代延期，芯片巨頭英特爾現已決定將基於18A 工藝的處理器製造計劃，提前至2024 年下半年。通過Mod3 擴建計劃，該公司正在擴建其位於俄勒岡州的D1X 工廠。新建築面積為27 萬平方英尺，用以安裝最大的新芯片製造設備。

在帕特·基辛格去年重返公司並擔任首席執行官之前，英特爾在製造現代化上已經長期落後於台積電（TSMC）和三星。

隨著新CEO 的上任，英特爾終於重新制定了路線圖，並將於四年內帶來五次製造工藝的改進—— 分別為Intel 7、Intel 4、Intel 8、以及Intel 20A 和Intel 18A 。

每一次製程工藝的迭代，都會帶來功耗性能方面的積極改進。而為此砸下數百億美元的英特爾，顯然希望在2024-2025 年間實現赶超，並通過將芯片製造業重心從亞洲拉回美國本土以重現輝煌。

在俄勒岡州新命名的戈登摩爾園區（Gordon Moore Park），英特爾開設了致力於下一代製造工藝的新芯片製造工廠。與此同時，其D1X 晶圓廠也投入了30 億美元的Mod3 擴建資金。

取得成功之後，英特爾有望在全球佈局的晶圓廠內推廣D1X 工藝。如果能夠在2024 下半年順利提前完成預定目標，這對該公司的代工業務部門來說也是個好兆頭。

為了從台積電和三星那邊挖來芯片代工業務，英特爾已透露IFS 客戶能夠用上該公司的Intel 3 和Intel 18A 工藝。今年2 月，帕特·基辛格展示過基於測試芯片的18A 晶圓，但尚未披露其進展的更多細節。

言歸正傳，新建的27 萬平方英尺Mod3 大樓具有足夠高的天花板、以及足夠堅固的地板，能夠容納用於將電路蝕刻到晶圓矽片上的最新機器。

英特爾邏輯技術發展副總裁Ryan Russell 指出，經過數月的處理步驟，這些微芯片就可完成交付。

最後，儘管在先進的極紫外光刻工藝方面，英特爾一度落後於台積電/ 三星。但隨著愛爾蘭Fab34 工廠完成了首套EVU 設備的安裝，意味著該公司將奮起直追。