Intel宣布先進CPU工藝路線圖:EUV光刻今年量產8年集成1萬億晶體管
在從今天凌晨的投資者會議上,Intel公佈大量新處理器、新工藝的進展,力度非常猛,2025年之前就要量產5代先進工藝,推出4代酷睿處理器,一口氣公佈到了16代酷睿。在這其中,CPU工藝是重中之重,也是Intel未來酷睿、至強、ARC顯卡以及封裝技術的基石,這次會議上Intel進一步明確了各代工藝的量產時間及性能情況,我們來看一下。
在過去的2021年,Intel最重要的一步當然是量產了Intel 7(之前的10nm SF工藝)工藝,以此為基礎推出了12代酷睿Alder Lake,今年的13代酷睿Raptor Lake也會繼續使用Intel 7工藝,提高產能、優化性能是重點,13代酷睿這次又增加了8個效能核,總計24核32線程。
現在是2022年了,Intel即將進入下一個節點—— Intel 4,也就是之前的7nm,這一代工藝會首次使用EUV光刻機, Intel表示該工藝將在2022年下半年投產,其晶體管的每瓦性能將提高約20%。
首發Intel 4工藝的是14代酷睿Metor Lake,不過它要到2023年才能上市,而且除了Intel自己生產的CPU模塊之外,還會使用台積電的N3工藝,應該是用於GPU模塊等,如果沒記錯的話,這是Intel首次在官方路線圖上確認使用其他廠商的工藝。
Intel 4工藝之後是Intel 3工藝,也是基於EUV光刻的,官方稱Intel 3將具備更多功能,並在每瓦性能上實現約18%的提升,預計在2023年下半年投產。
不過從Intel的路線圖來看,酷睿處理器不會使用Intel 3工藝了,因為15代酷睿Arrow Lake會直接使用20A工藝,後者是首款埃米級CPU工藝,支持RibbonFET和PowerVia這兩項技術,每瓦性能上實現約15%的提升,2024年上半年投產,首發的可能是16代酷睿Lunar Lake。
2024年對Intel來說非常關鍵,因為下半年就會量產18A工藝了,是20A工藝的改進版,每瓦性能上將實現約10%的提升。
從Intel的路線圖來看,他們在未來幾年中非常激進,2025年之前要量產5代工藝,甚至在2024年推出兩代先進工藝,跟之前四五年都沒升級14nm、10nm工藝完全不同,野心非常大。
至於Intel的目標,那就是在2030年通過先進工藝RibbonFET、高NA EUV光刻機、Foveros 3D封裝等各種技術,實現在單個設備中繼承超過1萬億個晶體管,要知道目前最頂級的芯片(包括密度更高的GPU在內)也不過是百億級晶體管,Intel要在8年內實現5-10倍的密度提升,再續摩爾定律輝煌。