南芯半導體聲明:小米澎湃P1為小米自研設計
今天下午南芯半導體發布《關於對小米澎湃P1不實傳言的說明》稱,近日關注到網絡上出現了很多關於小米澎湃P1的不實傳言,與事實完全不符。南芯半導體在說明中表示,小米澎湃P1芯片為小米自研設計、南芯半導體代工(內部代號SC8561)。
這款芯片具備超高壓4:1充電架構,實現了120W單電芯充電,支持1:1、2:1和4:1轉換模式,所有模式均可雙嚮導通,可實現有線120W、無線50W、無線反充等多種充電功能。
南芯半導體2021年9月發布的南芯SC8571,為超高壓4:2充電架構,可實現120W雙電芯充電,其針對超大功率充電需求,支持4:2、2:2兩種模式。
小米自研的澎湃P1充電芯片與南芯SC8571拓撲結構完全不同,是不同設計、不同功能、不同定位的兩顆充電芯片。
今年1月份,小米推出了第三款自研芯片“澎湃P1”,由小米12 Pro首發。這是一顆專門的快充芯片,對應的“神仙秒充”技術也獲得了2021小米年度技術大獎二等獎。
据介绍,澎湃P1实现了“120W单电芯”充电的突破,这是以往单电芯电池完全无法做到的高功率快充,而单电芯相比于双电芯带来的最显著的优点就是能更节省空间,同等体积下容量更大,对于机身控制也更有优势。
官方稱,澎湃P1的研發歷經18個月,四大研發中心通力合作,耗資過億,最後終於實現輕薄機身下的大電量120W快充。