外媒分享帶有正確註釋的英特爾首款7nm Xe HPC GPU封裝照片
早些時候,英特爾首席架構師Raja Koduri分享了“七合一”設計的Xe HPC GPU的封裝照片,而後外媒迅速對這款基於7nm製程的雙Tile GPU產品的規格進行了分析。最新消息是,WCCFTech援引消息人士的爆料,給出了帶有正確註釋的芯片圖表,包括位於基板中間的計算單元、兩側的HBM2高帶寬顯存、以及邊緣位置的Xe Link IO 。
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(圖via WCCFTech)
此前大家對於Raja Koduri披露的所謂“七項技術”的理解,包括了雙Tile版本的Xe HPC GPU所使用的Foveros技術、英特爾的10nm ESF工藝、以及台積電的7nm製程。
現在,通過與至少兩個消息來源進行交叉確認,WCCFTech 終於知曉了該公司首款7nm Xe HPC GPU 芯片封裝的正確註釋。
首先是位於圖片左上角和右下角的兩顆Xe Link IO 芯片,其基於台積電的7nm 工藝製造。有趣的是,基板兩側似乎還整合了兩種不同大小的HBM2 高帶寬顯存。
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其次是位於長方形基板中間的英特爾7nm 計算核心,每Tile 中的8 個計算核心通過Passive Die Stiffeners 進行整合、以及與HBM2 高帶寬顯存連接。
顯然,為了打造這款7nm 產品,英特爾還應用了嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)和Foveros 3D 封裝等技術,比如由台積電代工的7nm IO 連接芯片和Rambo Cache 緩存。
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以下是對Raja Koduri 分享的“七項技術”的完整解釋:
● 英特爾7nm 工藝;
● 台積電7nm 工藝;
● Foveros 3D 封裝;
● EMIB 嵌入式多芯片互連橋接;
● 增強型Super Fin 工藝;
● Rambo Cache 緩存;
● HBM2 高帶寬顯存。