台積電2nm製程研發取得突破將切入GAA技術
據台灣媒體報導,台積電衝刺先進製程,在2nm研發有重大突破,已成功找到路徑,將切入環繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。台媒稱,三星已決定在3nm率先導入GAA技術,並宣稱要到2030年超過台積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,台積電研發大軍一刻也不敢鬆懈,積極投入2nm研發,並獲得技術重大突破,成功找到切入GAA路徑。
台積電負責研發的資深副總經理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發工程師全心投入。
台積電3nm製程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產,業界以此推斷,台積電2nm推出時間將在2023年到2024年間。
台積電今年4月曾表示,3nm仍會沿用FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,主要考慮是客戶在導入5nm製程後,採用同樣的設計即可導入3nm製程,可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品。
台積電成立於1987年,是全球最大的晶圓代工半導體製造廠,客戶包括蘋果、高通等等。其總部位於台灣新竹的新竹科學工業園區。台積電公司股票在台灣證券交易所上市,股票代碼為2330,另有美國存託憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易,股票代號為TSM。