QLC閃存三星870 QVO SSD拆解探秘:緩存外寫入速度慘不忍睹
一年半之前,三星發布了旗下首款消費級QLC閃存SSD 860 QVO,現在第二帶來了,它就是870 QVO。雖然很多人對於QLC閃存非常抗拒,但正如之前的TLC,這是不可逆轉的趨勢,只能慢慢接受,當然廠商在涉及產品的時候也會有相應的權衡,比如QLC閃存初期就不會用於高性能NVMe SSD,而是主打主流大容量,三星870 QVO就是SATA SSD,而且首次做到了8TB。
870 QVO的誠意還是滿滿的,比如V-NAND閃存從64層升級到92層,單Die容量1Tb,只需八顆就能組成一顆1TB容量的閃存芯片,同時主控也從MJX升級到MKX,不過並未公佈任何技術更新、固件變化,相信只是一次小更新。
下邊先看看拆解圖,再了解一下性能,尤其是緩存之外的寫入性能。
左右分別是4TB、1TB的電路板正反面。很顯然,1TB、2TB只需一顆和兩顆閃存芯片,再加一顆主控、一顆緩存就搞定了,所以PCB非常短小精悍,1TB的留了個空焊位。4TB的正反各兩顆閃存芯片,補上四個空焊位那就是8TB。
即便是4TB、8TB的電路板,放在標準的2.5寸槃體內,也是很小巧。
這是三星 MKX主控和LPDDR4緩存。
870 QVO系列的詳細規格,1/2/4/8TB型號分別搭配1/2/4/8GB LPDDR4緩存,同時還設置了SLC緩存以提升性能,2/4/8TB的都有78GB,1TB則只有42GB。
在寫入的時候,一旦用完這些SLC緩存容量,就會回歸到QLC的本質,性能自然大大降低,1TB的落差尤其巨大。
根據官方數據,870 QVO系列的持續讀取速度都是560MB/s,SLC緩存下的持續寫入都是530MB/s,但是QLC閃存下,2/4/8TB型號的持續寫入會降至160MB /s,1TB的更是只有80MB/s。
隨機性能方面,1TB的讀取也不受影響,但是寫入損失比較大,尤其是QD32隊列深度的時候,隨機讀寫會分別降低40%、48%。
壽命上倒是保持一致,都是每天0.33次全盤寫入,質保五年,最大寫入量360TB、720TB、1440TB、2880TB,而一般的消費級QLC SSD只有每天0.1-0.15次,即便是五年質保寫入量也不如870 QVO。
AnandTech已經對870 QVO進行了詳細的測試,其他沒什麼意外,這裡只看看緩存內外的寫入情況。
QD32隊列深度,128KB數據塊,緩存內持續寫入速度都可以達到標稱的530MB/s左右,而在緩存耗盡之後,速度瞬間就跌了下來,1TB 80MB/s左右,4TB 164MB/s左右,同樣完美符合標稱。
好消息是,緩存耗盡之後,寫入速度一直非常穩定,直到完全填滿都沒有再變化。