GlobalFoundries週四表示，它已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發。這項技術用於生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。該技術可用於多種應用，包括汽車，工業級MCU和物聯網（IOT）。GlobalFoundries的幾個客戶已準備在今年用eMRAM推出其首批22FDX芯片。

與當今廣泛使用的eFlash相比，eMRAM具有許多優勢，它不涉及電荷或電流，而是使用磁存儲元件，並依賴於讀取由薄勢壘分隔的兩個鐵磁膜的磁各向異性。該方法在寫入數據之前不需要擦除週期，這意味著更高的性能。此外，可以使用現代工藝技術生產MRAM，並且具有很高的耐久性。該技術有一些缺點，最終將通過使用ReRAM的製造工藝來解決，但GlobalFoundries和三星 Foundry認為MRAM在絕大多數應用中都具有巨大潛力。

GlobalFoundries表示，使用其22FDX和eMRAM工藝技術生產的測試芯片，在ECC關閉模式下，在-40°C到125°C的工作溫度下，具有10萬個週期的耐久性和10年的數據保持能力。此外，公司的eMRAM測試產品還可以通過標準可靠性測試，包括LTOL（168小時）、HTOL（500小時）和5x焊料回流，故障率<1ppm。此外，GlobalFoundries還解決了（依賴於磁存儲元件的產品）的磁抗擾性問題。

GlobalFoundries在德國德累斯頓的Fab 1中使用22FDX技術生產這種芯片。這種差異化eMRAM部署在業界最先進的FDX平台上，在易於集成的eMRAM解決方案中提供了高性能RF，低功耗邏輯和集成電源管理的獨特組合，使客戶能夠交付新一代的超高性能，低功耗MCU的物聯網應用。