作為AMD的“前女友”，格羅方德（GlobalFoundries）已經退出了業內最領先的製造技術競賽，但是看到了面向5G應用的RF-SOI芯片、以及面向低功耗設備的FD-SOI芯片的巨大前景。本週，該公司與GlobalWafers（GWC）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以開發300 mm SOI晶圓的長期供應合同。

據悉，這是格羅方德在不到一年的時間裡，簽署的第二份SOI 晶圓長期供應協議（WSA）。

絕緣底上矽（SOI）技術曾用於打造頂尖的處理器，但現如今已得到廣泛的應用。

包括那些需要超低功耗的應用（IoT 領域的SoC 和MCU）、高電壓（模擬/ 混合信號制式）、或高電阻係數產品（比如4G / 5G 智能機的FEMI 前端模塊）。

這些都需要使用所謂的特殊製造工藝，因此引發了格羅方德的極大興趣。

此外伴隨著5G 和物聯網的興起，RF-SOI 和FD-SOI 將在此類芯片的量產上發揮重要的作用。

目前格羅方德旗下運營著七座300 mm 晶圓廠（包括位於紐約East Fishkill 的Fab 10 工廠）和三座200 毫米晶圓廠。

該公司最大的300 mm 晶圓廠（Fab 1）將專注於SOI 產品的製造，新加坡的Fab 7 工廠亦將同時大批量使用SOI 技術。

Fab 10 工廠可使用基於SOI 的工藝來處理晶圓，此外格羅方德正計劃在中國程度新建另一座300 mm 晶圓廠。

其將藉助22FDX 技術來製造芯片，最終讓自家的200 mm 工廠也用上SOI 晶圓。

作為全球最大的SOI 晶圓客戶，格羅方德將從Soitec 和GlobalWafers Co. 那裡採購200 mm 和300 mm 基板。

僅在去年，格羅方德和Soitec 就已經在2017 年簽署的WSA 供應協議的基礎上，補充了一項持續多年的300 mm SOI 晶圓供應協議。

事實證明，格羅方德的高級RF-SOI 工藝甚至需要300 mm 以上的SOI 晶圓。

因此作為新合約的一部分，該公司才如此積極地幫助GWC 顯著壯大其SOI 晶圓製造能力。至於具體的消耗量，格羅方德、Soitec 和GWC 均未透露。