昨日，iQOO 3 5G首發UFS 3.1閃存，調試信息顯示芯片顆粒來自三星。事實上，上周西部數據也推出了符合JEDEC最新規範的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 ，引入第六代SmartSLC緩存技術，寫速最高可達800MB/s，且號稱容量滿載時也不掉速。

本週，鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲）宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。

新閃存基於東芝BiCS 3D存儲技術打造，設計容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西數EU521豐富，主控和閃存都按照規範要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內。

關於性能，鎧俠未給出具體數據，但表示寫速是UFS 3.0的2~3倍，連續讀速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善隨機讀取性能，睡眠模式下功耗更低，溫度過高時可主動降低性能避免損壞元件。

鎧俠指出，東芝是最早在2013年推出UFS的廠商，去年也是第一波提供UFS 3.0產品的企業。