外媒報導稱，三星已開始其新建的V1晶圓工廠的大規模生產，成為業內首批完全使用6LPP和7LPP製造工藝的純極紫外光刻（EUV）生產線。作為三星下一代製造工藝的重要推動力，EUVL能夠減少多重曝光，提升採用更精細設計的芯片的良率。

初期，三星將EUVL 設備用於其6LPP 和7LPP 節點，且未來有望擴展至5LPE、4LPE、3GAE 和3GAP 等製程節點。

該工廠的7LPP 和6LPP 工藝，將用於今年一季度交付的高端移動SoC，但目前尚不知合約客戶的名稱。

需要注意的是，6LPP 並不是三星多項目晶圓（MPW）穿梭計劃的一部分，或表明該工藝僅適用於三星自家的產品（或那些不適用MPW 的客戶）。

6LPP 是三星7LPP 節點的演進，提升了約10% 的晶體管密度和更低的功耗，可與最初為7LPP 開發的IP 兼容並重複使用。

此外，6LPP 為渴望投資於全新IP 和多重擴散中斷（Multi Diffusion Break）功能的設計人員，提供了智能結構的支持。

然而6LPP 可能僅面向部分客戶限量供應，未來重點似乎是新的5PLE 節點，後者在功耗、性能等方面具有更多的優勢。

據悉，三星V1 晶圓廠位於韓國華城、毗鄰S3，該公司在那裡開啟了7LPP 製程芯片的首次批量生產。

三星于2018 年2 月開始建造V1，並於2019 下半年開始晶片的測試生產。現在，該公司將繼續擴大V1 晶圓廠產能規模。

預計到2020 年底時，EUV 7LPP 以下總產能節點數量將是2019 年的三倍，且針對V1 的累計投資將達到60 億美元。