前幾天西數、鎧俠（原東芝存儲）各自宣布了新一代BiCS5技術的3D閃存，堆棧層數也從目前的96層提升到了112層，IO接口速度提升40%，同時QLC型閃存核心容量可達1.33Tb，目前是世界最高水平的。

鎧俠、西數表示BiCS5閃存初期會以512Gb核心的TLC開始量產，後續會提供更多容量選擇，包括最高密度的1.33Tb QLC閃存，預計2020年下半年開始商業化量產，主要生產工廠是日本三重縣四日市及岩手縣北上市的晶圓廠。

那實際到底如何呢?德國Computerbase網站根據鎧俠、西數以往的數據做了個匯總，不同類型的3D閃存的存儲密度如下：

三星512Gb的64層閃存密度是每平方毫米4.0Gb，美光 / Intel的64層256Gb閃存密度是每平方毫米4.3Gb，東芝的96層BiCS4閃存512Gb閃存密度是每平方毫米5.9Gb，而之前東芝公佈的128層BiCS5閃存、512Gb容量的密度就有每平方毫米7.8Gb了，96層的QLC閃存、1.33Tb版密度可達每平方毫米8.5Gb。

從這些數據來看，東芝宣稱的世界密度最高是沒什麼問題，其實從2D閃存時代東芝的BiCS技術在存儲密度上有很有優勢。

不過與去年ISSCC會議上公佈的BiCS5閃存技術相比，東芝、西數目前量產的BiCS5閃存也是縮水的，首先層數是112層而非128層，而且去年宣稱的4平面架構、性能提升100%的說法也沒有出現在當前的聲明中，現在量產的BiCS5閃存主要是存儲密度、IO接口、堆棧層數、生產效率上的改進，性能不是重點。

這也意味著鎧俠、西數很有可能還有更高級的BiCS5閃存待發，目前的不是完整版，大概率是為了確保量產而精簡優化了，畢竟層數超過100+之後，3D閃存的難度也在提升。