師從NVMe固態硬碟：UFS3.1手機快閃記憶體將新增大量功能特性
近日JEDEC宣布了UFS 3.1標準（JESD220E），新標準針對高性能、低功耗移動應用提供了一系列更新。新標準的UFS快閃記憶體或將成為下一代旗艦手機和部分二合一平板電腦的標準配置。
UFS3.1將沿用MIPIM-PHY v4.1物理層規範和MIPIUniPro v1.8傳輸層規範，理論帶寬23.2 Gbps（同UFS3.0相同）。主要改進包括寫入加速、深度睡眠和性能受限通知，有助於簡化設計、降低系統成本並提高設備性能。
寫入加速（Write Booster）提供了一種通過TLC/QLC快閃記憶體模擬SLC寫入來提高性能的方法。SLC緩存已經廣泛應用於SSD固態硬碟及部分SD存儲卡、優盤當中，可以提高突發寫入性能。USF3.1標準首次在UFS快閃記憶體中將其標準化。
深度睡眠（DeepSleep）提供了一種新的低功耗狀態，適用於共用UFS穩壓器實現其他功能的廉價設備。
性能受限通知則允許UFS快閃記憶體在溫度過高、不得不限制性能時主動通知主機，允許設備對此進行針對性的反應。UFS快閃記憶體和NVMe固態硬碟一樣面臨過熱問題，性能受限通知有師從NVMe標準的影子。
除了以上三個標準特性之外，JEDEC還以JESD220-3可選性補充標準的形式提供了”主機性能增強器”（Host Performance Booster）功能。該功能類似於NVMe協議中的HMB（主機內存共享），允許存儲設備共享部分主機DRAM內存用於存儲LUT快閃記憶體映射表，只需使用較小容量的共享內存就能實現隨機讀寫性能的大幅提升。對於UFS快閃記憶體這種不具備集成DRAM緩存的存儲器而言，”主機性能增強器”絕對是個提振性能的利器。
