鎧俠（Kioxia）宣布，其已開發出一種名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圓形3D存儲單元結構。與傳統循環設計的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創的這種半圓形3D浮柵單元結構，具有更大的編程/擦除窗口和斜率，且單元尺寸做到了更小。展望未來，這種設計有望在超越4-bit（QLC）的存儲裝置中發揮巨大作用——減少堆棧層數、或提供更高的存儲密度。

（題圖via Kitguru）

在本月早些時候於舊金山舉辦的IEEE 國際電子設備會議上，鎧俠宣布了這項新技術。近年來，隨著3D 堆疊層數的增加，廠商得以通過更低的成本來實現更高的位密度。

然而在層數超過100 之後，工藝的複雜程度也迅速提升，對產品的良率和一致性提出了更大的挑戰。為了克服這些問題，鎧俠提出了全新的半圓形單元設計。

其在傳統圓形單元的基礎上，對柵電極進行了分割，從而減少單元的尺寸，以實現在較少單元層數的情況下，帶來高密度的存儲。

鎧俠稱，半圓形浮柵（FG）單元具有出色的編程/ 可擦寫特性，有望獲得緊密的QLC Vt 分佈和較小的單元尺寸。

作為行業向前發展、追求更高比特密度的一個可行選項，該公司將繼續致力於Twin BiCS FLASH 的研發，並將之投入實際應用。