由於眾所周知的原因，美國正在收緊高科技的出口，日前美國政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子計算機、3D打印及GAA晶體管技術等在內，這其中GAA晶體管技術是半導體行業的新一代技術關鍵。

大家都知道半導體工藝跟晶體管息息相關，目前台積電、三星、Intel、格芯量產的先進工藝普遍是基於FinFET鰭式晶體管的，從22nm工藝到明年才能量產的5nm工藝都使用了FinFET晶體管。

5nm往後半導體工藝製造愈發困難，要想獲得性能及密度改進，晶體管就要轉向新一代結構了，GAA環繞柵極晶體管就是最有希望的，三星去年就率先發布了3nm GAA工藝——3GAE 。

根據官方所說，基於全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產，最快2022年就能量產。

台積電及Intel還沒有具體公開3nm及以下工藝的詳情，不過5nm之後轉向GAA晶體管技術也是板上釘釘了，所以GAA晶體管技術會成為未來幾年裡半導體工藝的新選擇。

美國封殺GAA晶體管技術出口，國內最大的晶圓代工廠中芯國際及華虹半導體是沒可能獲得外援了。不過話說回來，即便沒有美國的封殺，國內指望海外技術轉移升級GAA工藝也是沒可能的。

中芯國際今年可以量產14nm工藝，這是國產第一代的FinFET工藝，後續也有改進型的12nm FinFET工藝，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%。

根據中芯國際之前在財報會議上的信息，12nm工藝應該是他們的N+1工藝，後續還會有更先進的N+2代工藝，只不過官方沒有明確N+2是否就是7nm節點。

總之，美國現在禁止出口GAA工藝顯然是想封鎖中國公司的半導體技術能力，不過這件事目前來說影響並不大，因為國內距離3nm工藝還有點距離，國內的半導體公司也早就認識到技術研發要以自己為主，加大投資、吸引更多人才自主研發才是解決問題的關鍵。