據國外媒體報導，三星計劃投資80億美元，來擴建其位於西安的3D NAND芯片工廠，以提高NAND閃存芯片的產量。這80億美元的投資，是三星西安閃存芯片項目二期的第二階段投資，將用於第三次擴建工廠。三星西安芯片工廠的擴建將使其進一步增加3D NAND的產量。目前，該工廠每月可加工12萬片晶圓，擴建後將開始每月加工13萬片晶圓。

（圖自：Samsung，via AnandTech）

目前，三星尚未正式確認這項80億美元的投資計劃，但該公司今年早些時候表示，將在擴大西安生產設施方面採取“靈活”態度。

早在2017年的時候，該公司宣布，計劃在未來三年內向其位於西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目二期的第一階段投資。

三星二期項目的總投資為150億美元，預計於2021年下半年竣工。此前，該公司還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目的一期投資。

目前，三星在三個地方生產3D NAND：韓國的華城、平澤和中國的西安。自2014年以來，該公司就一直在其位於西安的工廠生產NAND芯片。最近，該公司在其位於平澤的工廠增加了第二條生產線，預計將於明年投產。

從技術層面來說，NAND芯片可永久保存數據，是許多計算和存儲設備的一部分，可用於移動設備、存儲卡、USB閃存驅動器和固態硬盤。隨著物聯網、人工智能和虛擬現實市場的蓬勃發展，它的需求預計將穩步增長。

在NAND閃存領域，三星與包括韓國SK海力士（SK Hynix）、美光科技、西部數據、英特爾和東芝在內的競爭對手展開激烈競爭。