長鑫存儲技術有限公司（CXMT）已經開始生產基於19nm工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的10nm級製程的路線圖，計劃在未來生產各種類型的動態隨機存儲器（DRAM） 。為了提升產量，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國製造2025項目的一部分，其有望支撐全球一半左右的DRAM需求。

（題圖via AnandTech）

總部位於安徽合肥的CXMT，目前擁有3000 多名員工，下設一座擁有65000 ㎡ 潔淨室的晶圓廠。其前身為合肥睿力集成電路（Innotron Memory），自2016 年成立以來，該公司一直致力於多個項目。

目前長鑫存儲的月產能約為2 萬片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長，產量也將逐漸提升。預計到2020 年底，其10nm 級工藝技術的產能為12 萬片晶圓（12 英寸），媲美SK 海力士在中國無錫的工廠。

CXMT 表示，其77% 員工都是從事研發相關工作的工程師。借助來自奇夢達的IP 授權，該公司已順利完成了早期積累。

CXMT 正在使用其10G1 技術（19 nm 工藝）來製造4 Gb 和8 Gb DDR4 存儲器芯片，目標在2020 年第一季度將其商業化並投放市場，該技術將用於在2020 下半年製造的LPDDR4X 存儲器。

從路線圖來看，CXMT 還規劃了針對DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5 的10G3（17 nm 工藝）產品。儘管目前尚無法撼動業內老牌競爭對手，但該公司相當重視創新工藝的研發和產能的擴張。

預計CXMT 10G5 工藝將使用HKMG 和氣隙位線技術，並在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

儘管該公司計劃於2019 年初開始生產DDR4 內存，但新路線圖已經推遲了一年。最後，該公司還計劃再建兩座DRAM 晶圓廠。