GlobalFoundries宣布，該公司已與新加坡南洋理工大學和國家研究基金會合作開發電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）。這種下一代存儲技術將為快速非易失性大容量嵌入式緩存鋪平道路。該項目將耗時四年，耗資1.2億新元（8800萬美元）。

目前，GlobalFoundries（和其他半導體的合同製造商）使用eFlash（嵌入式閃存）用於需要大容量板載存儲的芯片。使用20nm以下技術製造芯片時，這項技術具有許多局限性，例如耐久性和性能，這也是GlobalFoundries和其他芯片製造商在未來的設計中尋求用磁阻RAM（MRAM）代替eFlash的主要原因，因為它被認為是當今可以使用現代芯片工藝製造的最耐用的非易失性存儲技術。

MRAM依賴於讀取由薄勢壘隔開的兩個鐵磁膜的磁各向異性（方向），因此在寫入數據之前不需要擦除週期，這使其比eFlash快得多。此外，其寫入過程需要相當少的能量。另一方面，MRAM的密度相對較低，在低溫下其磁各向異性降低，但對於大多數不涉及低溫的用例來說，仍然非常有希望。

這使研究人員進一步研發ReRAM，ReRAM依靠電流改變電介質材料上的電阻（從“ 0”到“ 1”或其他）。該技術也不需要擦除週期，具有很高的耐久性，並且假設使用正確的材料，則可以在很寬的溫度範圍內工作。同時，即使使用“薄型”現代製造工藝（例如GF的12LP或12FDX）生產存儲單元，用於ReRAM的合金通常也應該非常穩定，以使其能夠承受數百萬次開關並保留數據。為ReRAM尋找合適的材料物質將是NTU研究的主題，如果研究成功的話，GlobalFoundries將大批量生產這種新型存儲器。