三星電子宣布率先在業內開發出12層3D-TSV（矽穿孔）技術。隨著集成電路規模的擴大，如何在盡可能小的面積內塞入更多晶體管成為挑戰，其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱，他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接，每一層的厚度僅有頭髮絲的1/20。

總的封裝厚度為720μm，與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同，體現了極大的技術進步。

這意味著，客戶不需要改動內部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時，3D堆疊也有助於縮短數據傳輸的時間。

三星透露，基於12層3D TSV技術的HBM存儲芯片將很快量產，單片容量從目前的8GB來到24GB。